SSD DOM
Предлагаем Вам SSD DOM. Это
встроенный флэш-накопитель высокой производительности, предназначенный для замены традиционных IDE/SATA механические жесткие диски.
27/04/2017
Предлагаем жесткие диски SSD 128Gb 1.8" Micro SATA для установки в ноутбуки с интерфейсом подключения Micro SATA (uSATA) 7+9 pin и размером 1.8 дюйма и Жесткие диски SSD 128Gb 1.8" ZIF для ноутбуков с интерфейсом ZIF-40
26/04/2017
Intel выпустила скоростные SSD Optane с принципиально новым типом памяти
SSD основан на анонсированной в июле 2015 года технологии энергонезависимой памяти 3D Xpoint (произносится как "кросс-поинт"). Optane SSD DC P4800X представляет собой твердотельный накопитель емкостью 375 ГБ, реализованный в виде платы PCIe и в первую очередь предназначенный для дата-центров.
Пока в продажу поступила ограниченная партия новинки стоимостью 1520 долларов, но в Intel обещают нарастить производство и начать более широкие продажи инновационного диска во второй половине 2017-го. В ближайшие месяцы компания также обещает выпустить модель емкостью 750 ГБ, а также 375-гигабайтный диск, использующий разъем U.2. До конца года продукт появится также в виде 1,5-терабайтной PCIe-платы и модулей на 750 ГБ и 1,5 ТБ с интерфейсом U.2.
Характеристики Optane SSD DC P4800X в сравнении с NAND-диском Intel SSD DC P3700 представлены на слайде:
20/01/2017
Предлагаем внешние корпуса для подключения дисков M.2 (NGFF) SSD к компьютеру, ноутбуку или другим устройствам, имеющим разъём USB.
Небольшие размеры, малый вес, простота в установке.
Подробнее ознакомится можно здесь: http://pc-controllers.ru/index.php/cPath/902?osCsid=6874ad2b866b112c7e657f27d6f9bdba
20/09/2016
Новый товар в линейке SSD накопителей формата mSata mini
Твердотельный накопитель SSD mSATA 64Gb Espada ESM-mSATA.7h-064MJ
Подробнее:http://pc-controllers.ru/product_info.php/products_id/41492
16/08/2016
В Samsung создан твердотельный накопитель ёмкостью 32 Тбайт.
Устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
Источник:3dnews.ru
Click here to claim your Sponsored Listing.
Category
Website
Address
1-й Иртышский пр, д. 10, стр. 5
Moscow
107143