Electron Beam

MOSFET-এর পূর্ণরূপ হলো Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor। এটি একটি বিশেষ ধরনের ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর যা ইলেকট্রনিক সার্কিটে মূলত সুইচ বা অ্যাম্প্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহৃত হয়।

এটি সিলিকনের মতো সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের ওপর সিলিকন ডাই-অক্সাইডের একটি পাতলা অন্তরক (Insulating) স্তর তৈরি করে গঠন করা হয়।

MOSFET-এর প্রধান বৈশিষ্ট্যসমূহ:
ভোল্টেজ কন্ট্রোল্ড ডিভাইস: এটি কারেন্ট নয়, বরং এর গেটে প্রয়োগ করা ভোল্টেজের মাধ্যমে কারেন্ট প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করে।
টার্মিনাল: একটি সাধারণ মোসফেটে তিনটি প্রধান টার্মিনাল থাকে:

1.Gate (গেট): যা ট্রানজিস্টরটিকে নিয়ন্ত্রণ করে।
2.Source (সোর্স): যেখান থেকে কারেন্ট প্রবেশ করে।
3.Drain (ড্রেন): যেখান দিয়ে কারেন্ট বের হয়ে যায়।

বিভাগ:
MOSFET সাধারণত দুই প্রকারের হয়:
1.Enhancement Type: এটি সাধারণত 'Off' থাকে এবং গেটে ভোল্টেজ দিলে 'On' হয়।

2.Depletion Type: এটি সাধারণত 'On' থাকে এবং গেটে ভোল্টেজ দিলে কারেন্ট প্রবাহ বন্ধ বা বাধাগ্রস্ত হয়।